Cypress Semiconductor STK16C88 Instrukcja Użytkownika Strona 49

  • Pobierz
  • Dodaj do moich podręczników
  • Drukuj
  • Strona
    / 52
  • Spis treści
  • BOOKMARKI
  • Oceniono. / 5. Na podstawie oceny klientów
Przeglądanie stron 48
12.02.07
49
Simtek Confidential
SONOS Technology
+10V to +12V
-10V to -12V
Use Difference in VT (or
VT) to Represent Binary Data States
Operation of a SONOS device
PROGRAM (positive voltage on gate)
Electrons tunnel from substrate to trapping layer
Electrons are trapped
→ VT increases
ERASE (negative voltage on gate)
Holes tunnel from substrate to trapping layer
Holes recombine with trapped electrons
→ VT decreases
Przeglądanie stron 48
1 2 ... 44 45 46 47 48 49 50 51 52

Komentarze do niniejszej Instrukcji

Brak uwag